4D-NAND v4: SK Hynix' 238-Layer-Flash-Speicher ist der dichteste

Bild: SK Hynix

Mehr Kapazität pro Fläche gibt es nirgends sonst: SK Hynix hat den dichtesten NAND entwickelt, wohlgemerkt als TLC-Variante.

SK Hynix hat den 4D-NAND v4 angekündigt, bei dem es sich genau genommen weiterhin um 3D-NAND handelt: Der südkoreanische Hersteller stapelt gleich 238 Schichten aus Flash-Speicher-Zellen übereinander, was mehr als bei sämtlicher Konkurrenz ist.

Derzeit liefert SK Hynix den NAND an Partner aus, die Serienfertigung soll im ersten Halbjahr 2023 beginnen. Es handelt sich bei dem Flash-Speicher um Dies mit drei Bit pro Zelle (TLC, Triple Level Cell) und 512 GBit Kapazität, später sollen Chips mit 1 TBit (eventuell mit QLC) folgen. SK Hynix spricht von 4D-NAND, weil auch die I/O-Logik gestapelt ist, das machen andere Hersteller jedoch genauso, ohne es entsprechend zu vermarkten.

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